当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称 ，NAND闪存制造正从钨转向钼 ，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项 。
SemiAnalysis分析 ，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后 ，钨字线在电阻 、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料 。三星已于2024年量产 ，美光2025年跟进 ，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30% 。
更进一步的 ，该机构提出 ，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场 。
该机构称，每一次从钨到钼的转换 ，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计 ，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元 ，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进 ，到2030年增长至约20亿美元/年 。
受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益 ，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料） 、ASMI（ASM世界 ）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮 。SemiAnalysis表示 ，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。
钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。
300层NAND主要在结构上升级 ，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠 、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制 。
375层乃至400层以后 ，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化 、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题 。而钼凭借更低电阻率 、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性 ，为字线和存储孔缩放提供工艺余量 ，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。
中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产 ，拟采用钼材料替代钨制作字线 ，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换 ，钼替代钨趋势确立 。
然而 ，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送 ，且前驱物在室温下为固体 ，需要加热器以确保流动稳定性 。
基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼 ，并不是简单更换靶材或者更换气体材料 ，而是前驱体供给 、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗 、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行 ，同时设备 、特种材料、零部件均迎来变化。
爱建证券表示 ，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测 ”路径传导 ，工艺难点由沉积向后处理环节延伸 。其中——
沉积：成熟的WF钨工艺 ，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用 ，带动沉积设备及配套工艺升级；
输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源 ，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置 、温控管路及精密供气系统 ，以保障前驱体稳定输送；
CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系 ，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化 、去除速率及缺陷控制要求；
清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化 ，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升 ，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；
刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选取 性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高 ，有望带动相关刻蚀设备升级需求；
量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性 、填充缺陷 、金属残留及电学可靠性等监控项目 ，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长 。
该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新 ，新材料导入将持续催生沉积 、刻蚀 、清洗等关键设备迭代升级 ，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀 、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）
